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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

teed一2001k过热警报温控仪输出信号控制plc全部程序的运作，铂电阻pt100检测信号至警报温控仪与过热警报设定温度值开展较为，当具体温度值小于设定值时，输出控制信号给plc，plc程序一切正常运作。当具体温度值超出设定值时，输出控制信号给plc，plc封闭式运作程序。故过热警报的设定值一般要高过操作温度的设定值。