退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中,例如氧化,或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉,超节能结构,采用纤维结构,节电60%。
退火炉按热源分类主要有电热炉、燃煤退火炉、燃油退火炉、退火炉、煤气退火炉等,其中以自备煤气发生炉所产煤气退火炉应用广泛。煤气退火窑减去了燃烧室,直接利用煤气烧嘴在加热室喷射燃烧。为了降低能耗,煤气退火窑往往配有换热系统,将空气转换为助燃热风进行煤气的助燃。退火炉按热源分类主要有电热炉、燃煤退火炉、燃油退火炉、退火炉、煤气退火炉等,其中以自备煤气发生炉所产煤气退火炉应用广泛。煤气退火窑减去了燃烧室,直接利用煤气烧嘴在加热室喷射燃烧。为了降低能耗,煤气退火窑往往配有换热系统,将空气转换为助燃热风进行煤气的助燃。

物料的干燥速率取决于表面汽化速率和内部湿分的扩散速率。通常干燥前期的干燥速率受表面汽化速率控制;而后,只要干燥的外部条件不变,物料的干燥速率和表面温度即保持稳定,这个阶段称为恒速干燥阶段;当物料湿含量降低到某一程度,内部湿分向表面的扩散速率降低,并小于表面汽化速率时,干燥速率即主要由内部扩散速率决定,并随湿含量的降低而不断降低,这个阶段称为降速干燥阶段。

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