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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

红外线隧道炉程度送风方法，要紧适合于托盘烘烤的物件，风来自于---室双方，因此放在托盘烘烤结果会---。反之，如果用垂直送风方法，风由上而下吹出，托盘和高低层产物会把中心的热风盖住，造成中心烘烤结果差，达不到匀称的结果，铺张光阴和动力，还得不得好产物。

红外线隧道炉垂直高低送风方法，要紧适合于烘烤网架上的物件，风由高低吹出，由于是网架，因此高低通畅性会---，产物能够匀称的受热，比较于程度来说，更节减动力，服从更高。